SHENZHEN ZD TECH CO., LTD

Пассивные компоненты 800-2500МХз, 200В, ДИН-Ф, 3дб 2 в муфте гибрида 2 вне 3дб РФ

Подробная информация о продукте:
Место происхождения: Китай
Фирменное наименование: ZD
Сертификация: RoHS
Номер модели: ЗД-ХК-825-200-2: 2ДФ
Оплата и доставка Условия:
Количество мин заказа: Оборотный
Цена: Negotiable
Упаковывая детали: Стандарт экспортируя коробки или по мере того как клиент требовал
Время доставки: 3-15 дней
Условия оплаты: D/A, D/P, T/T, западное соединение, MoneyGram, L/C
Поставка способности: 10000pcs за месяц
  • Подробная информация
  • Характер продукции

Подробная информация

Разъем: ДИН/Н-фемале Материал: Полость: Серебр-покрытый алюминий
Окружающая среда: Открытый Частотный диапазон: 800-2500MHZ
ПИМ (ИМ3): <-155dbc> Тип разъемов: ДИН-ФЭМАЛЭ
Высокий свет:

поверхностный направленный ответвитель держателя

,

направленный ответвитель волновода

Характер продукции

Пассивные компоненты 800-2500МХз, 200В, ДИН-Ф, 3дб 2 в муфте гибрида 2 вне 3дб РФ

 

Применения:
1. оптимизирование сети мобильной телефонной связи и система распределения В-двери.
2. связь группы, спутниковая связь, связь короткой волны и радио охмеления.
3. радиолокатор, электронная навигация и электронная конфронтация.
4. космические системы оборудования

 


 

Тип муфта Серис-800-2500/800-2700/698-2700МХз ДИН 3дБ гибридная, 2 в 2 вне

Электротехнические условия:
Диапазон изменения частот 800-2500МХз 800-2700МХз 698-2700МХз
ВСВР ≤1.2:1 ≤1.25:1 ≤1.25:1
Вносимая потеря (дБ) ≤3.5 ≤3.5 ≤3.5
Внутриполосная пульсация (дБ) ≤0.5 ≤0.5 ≤0.6
Изоляция (дБ) ≥25 ≥25 ≥25
Средняя мощность (в) 200/300/500 200/300/500 200/300/500
3-ий заказ ИМД (дБк) ≤-120/-140/-150@2X43dBm ≤-120/-140/-150@2X43dBm ≤-120/-140/-150@2X43dBm
Импеданс (Ω) 50 50 50
Тип соединителей Дин-женский Дин-женский Дин-женский
Работая Темп. (℃) -20~+55 -20~+55 -20~+55
Применение Для крытой или на открытом воздухе пользы Для крытой или на открытом воздухе пользы Для крытой или на открытом воздухе пользы
Финиш Покрытая чернота Покрытая чернота Покрытая чернота

Пассивные компоненты 800-2500МХз, 200В, ДИН-Ф, 3дб 2 в муфте гибрида 2 вне 3дб РФ 0Пассивные компоненты 800-2500МХз, 200В, ДИН-Ф, 3дб 2 в муфте гибрида 2 вне 3дб РФ 1Пассивные компоненты 800-2500МХз, 200В, ДИН-Ф, 3дб 2 в муфте гибрида 2 вне 3дб РФ 2

Свяжись с нами

Впишите ваше сообщение

Вы могли бы быть в этих